3月14日,“2025英飛凌消費、計算與通訊創新大會”(ICIC 2025)在深圳舉行。大會首次在國內展示了英飛凌兩款突破性技術——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓。英飛凌展示了四款重磅新品,包括PSOC Control C3 MCU、新一代中壓CoolGaN半導體器件、CoolMOS 8高壓超結(SJ)MOSFET和XDP數字電源。同時,英飛凌近期推出的新一代高密度功率模塊,即OptiMOS TDM2454xx四相功率模塊也在國內首次亮相。(美通社)